- Sections
- G - Physique
- G11C - Mémoires statiques
- G11C 7/20 - Circuits d'initialisation de cellules de mémoire, p.ex. à la mise sous ou hors tension, effacement de mémoire, mémoire d'image latente
Détention brevets de la classe G11C 7/20
Brevets de cette classe: 556
Historique des publications depuis 10 ans
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52
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36
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9
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| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
94 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
75 |
| Rambus Inc. | 2314 |
38 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
37 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
22 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
18 |
| Qualcomm Incorporated | 76576 |
17 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
16 |
| Intel Corporation | 45621 |
10 |
| Winbond Electronics Corp. | 1173 |
10 |
| ARM Limited | 4353 |
9 |
| MOSAID Technologies Incorporated | 606 |
8 |
| VIA Alliance Semiconductor Co., Ltd. | 287 |
8 |
| Memory Technologies LLC | 79 |
7 |
| Integrated Silicon Solutions, (Cayman) Inc. | 220 |
7 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
6 |
| Altera Corporation | 2241 |
6 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 678 |
6 |
| Silicon Motion, Inc. | 1009 |
5 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4732 |
5 |
| Autres propriétaires | 152 |